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穿隧效應示意圖圖1. 電子填充在待測物的能量谷中，填充的頂部能階，稱為費米能階εF 在特定能量ε時，這一段能量谷裡所能分布的電子數，就是狀態密度。圖2. 探針與待測物之間的真空屏障製造了相當大的能量障蔽，阻礙電子的流動。如同爬山一般，必須提供足夠大的能量（功函數），才能讓電子在兩物體之間流動。圖3. 如果在探針（或樣品）製造一個偏壓，使兩物體的費米能階有高低差時。電子就有機會利用穿隧效應通過真空屏障。在此圖中，電子由待測物的價帶到達探針的傳導帶。圖│研之有物、廖英凱(資料來源│Hoffman Lab)

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