穿隧效應示意圖圖1. 電子填充在待測物的能量谷中,填充的頂部能階,稱為費米能階εF 在特定能量ε時,這一段能量谷裡所能分布的電子數,就是狀態密度。圖2. 探針與待測物之間的真空屏障製造了相當大的能量障蔽,阻礙電子的流動。如同爬山一般,必須提供足夠大的能量(功函數),才能讓電子在兩物體之間流動。圖3. 如果在探針(或樣品)製造一個偏壓,使兩物體的費米能階有高低差時。電子就有機會利用穿隧效應通過真空屏障。在此圖中,電子由待測物的價帶到達探針的傳導帶。圖│研之有物、廖英凱(資料來源│Hoffman Lab)

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